REPUBLIKA.CO.ID, JAKARTA -- Samsung dikabarkan bersiap memproduksi massal chipberukuran 3 nanometer (3 nm) pekan depan dan berhasil selangkah di depan mendahului kompetitornya di industri global yaitu TSMC.

Chip 3 nanometer itu akan dibangun di atas teknologi Gate-All-Around (GAA), yang menurut Samsung akan memungkinkan pengurangan area hingga 45 persen sambil memberikan kinerja 30 persen lebih tinggi dan konsumsi daya 50 persen lebih rendah, dibandingkan dengan generasi sebelumnya.

Dikutip dari Kantor Berita Yonhap, Kamis, raksasa teknologi asal Korea Selatan itu bahkan sudah memamerkan chip 3 nanometernya kepada Presiden AS Joe Biden bulan lalu ketika mengunjungi kompleks Pyeongtaek Samsung.

Samsung kini memiliki predikat sebagai pembuat chip memori terbesar di dunia dan juga pemain terbesar kedua.Ke depannya, Samsung akan mengembangkan chip dengan ukuran yang lebih kecil namun berperforma tinggi di mulai dari node proses 2 nanometer yang ditargetkan bisa mulai diproduksi massal di 2025.